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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5841 个

  • 锂电池保护板组成,锂电池保护板工作原理-KIA MOS管

    充电时,控制IC X1会时刻监测第5脚VDD和第6脚VSS之间的电压,当这个电压大于等于过充截止电压且满足过充电压的延时时间时,X1会通过控制第3脚来关闭MOS管Q2,Q2被关闭之后,充电回路被切断(Q2的体二极管D2也是反向截止的),这个时候,电池只能放电。

    www.kiaic.com/article/detail/4898.html         2024-04-16

  • 蜂鸣器原理图,蜂鸣器电路图分享-KIA MOS管

    蜂鸣器的发声原理由振动装置和谐振装置组成,而蜂鸣器又分为无源他激型与有源自激型。无源他激型蜂鸣器的工作发声原理是:方波信号输入谐振装置转换为声音信号输出。有源自激型蜂鸣器的工作发声原理是:直流电源输入经过振荡系统的放大取样电路在谐振装置作用下...

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    www.kiaic.com/article/detail/4897.html         2024-04-16

  • P60v MOS管,60V PMOS管,TO-252低压MOS管场效应管-KIA MOS管

    P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V漏极电流 (ID) :-30A漏源击穿电压 (VDS(ON)) :-60V功耗 (PDM) :57W栅极电荷(Qg):40 nC

    www.kiaic.com/article/detail/4896.html         2024-04-15

  • 衬偏效应,衬偏效应和体效应,衬偏效应的影响-KIA MOS管

    MOSFET 的体效应(body-effect,也叫衬底调制效应/衬偏效应),主要是来源于 MOS 管的 S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对 MOSFET 阈值电压 vth 的影响

    www.kiaic.com/article/detail/4895.html         2024-04-15

  • 驱动电路误开通,MOS管驱动电路误开通避免-KIA MOS管

    通过调节门极驱动电阻和电容的大小可以来调整 MOSFET 的开通/关断速度:增大门极驱动电阻和电容来减慢MOSFET开通/关断的速度,减小 dv/dt (di/dt) 从而减小门极电压尖峰。

    www.kiaic.com/article/detail/4894.html         2024-04-15

  • 高压mos管工作原理,高压mos管厂家-KIA MOS管

    高压MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的核心是其特殊的MOS结构,包括源极、漏极和栅极,以及它们之间的电压控制关系。

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    www.kiaic.com/article/detail/4893.html         2024-04-12

  • 绝对值电路,运放绝对值电路,原理图文分享-KIA MOS管

    绝对值电路可以将输入的带有正负号的数值转换为其绝对值。这是通过对输入信号进行比较和选择来实现的。如果输入信号是正的,则输出与输入相同;如果输入信号是负的,则输出为输入的相反数。绝对值电路是物理电路中数据信息的处理后的一种电路。

    www.kiaic.com/article/detail/4892.html         2024-04-12

  • 亚阈值斜率详解,亚阈值斜率计算公式-KIA MOS管

    亚阈值斜率S也称亚阈值摆幅,其定义为亚阈值区漏端电流增加一个数量级所需要增大的栅电压,反映了电流从关态到开态的转换陡直度,具体对应于采用半对数坐标的器件转移特性曲线(I-Vos关系)中亚阈值区线段斜率的倒数。

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    www.kiaic.com/article/detail/4891.html         2024-04-12

  • 4665参数,4665场效应管,KNX4665B中文资料-KIA MOS管

    KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点,漏源击穿电压高达650V,漏极电流7A,能够承受较大的电压压力、良好的导电性能,RDS(ON)的典型值为1.1Ω,在VGS=10V时能够实现较低的导通电阻,具有较高的工作效率,还能够实现低栅极电荷最小...

    www.kiaic.com/article/detail/4890.html         2024-04-11

  • 直流升压详解,直流升压电路图、原理-KIA MOS管

    直流升压电路属于DC/DC电路的一种类型。直流升压(DC-DC Boost)是一种将输入直流电压升压到较高的直流电压的电路。直流升压就是将电池提供的较低的直流电压,提升到需要的电压值,基本的工作过程:高频振荡产生低压脉冲--脉冲变压器升压到预定电压值--脉冲整流...

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    www.kiaic.com/article/detail/4889.html         2024-04-11

  • iv特性曲线,mos管的iv特性曲线-KIA MOS管

    iv特性曲线-伏安特性曲线,即电流-电压曲线。iv特性曲线定义了电子设备的工作特性。这里的电压指的是源漏偏压,电流指的是漏电极电流。iv特性曲线是双电极器件体系性能模拟的主要目的。

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    www.kiaic.com/article/detail/4888.html         2024-04-11

  • 7610参数PDF手册,KIA7610A场效应管参数引脚图,25A 100V-KIA MOS管

    KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流25A,RDS(开)=32mΩ,采用了先进的沟槽加工技术,实现极低的导通电阻,提供杰出的性能、结工作温度175℃,具备较高的耐高温性能,适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度在电路转换中能够迅速响应,确保电路效...

    www.kiaic.com/article/detail/4887.html         2024-04-10

  • dc电流详解,ac电流和dc电流有什么区别-KIA MOS管

    直流电(DC,direct current),又称“恒流电”,恒定电流是直流电的一种,是大小和方向都不变的直流电。直流电是电荷的单向流动或者移动,通常是电子。电流密度随着时间而变化,但是通常移动的方向在所有时间里都是一样的。作为一个形容词,DC可用于参考电压(...

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    www.kiaic.com/article/detail/4886.html         2024-04-10

  • MOS管的特点,mos管的特性是什么-KIA MOS管

    开关特性:首先MOS管是压控器件,作为开关使用时,NMOS管只要满足Vgs大于Vgs(th)即可导通。开关损耗:MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,一般导通电阻都比较小。导通特性:导通的意义是作为开关,相当于开关闭...

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    www.kiaic.com/article/detail/4885.html         2024-04-10

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